ECR-CVD相关论文
类金刚石碳(Diamond-like carbon,DLC)膜是由C的SP~2和SP~3两种混合键组成的空间无定形非晶碳膜,具备优良的机械、电学、光学和声......
以CF4和C6H6混合气体作为源气体，在微波电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）装置中制备了氟化非晶碳薄膜（a-C:F），并在N2气氛中作了退火处......
食用80％Ar稀释的SiH4，O2，CHF3和CH4作为前驱气体，利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了氧化硅／氟化非晶碳膜／氧......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用苯作工作气体 ,在一个电子回旋共振 (ECR)微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜 (a -C :H) .对苯等离子体作了质谱......
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里......
采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD))方法在基片Si(100)上镀制了厚度为80m的氮碳膜(CNx膜),并研究了CNx膜的机械特性、摩擦特......
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔......
使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy......
以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4,B2H6和H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出了掺......
在室温下以C4F8和CH4为前驱气体，用电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）的方法生长了氟化非晶碳（α-C：F）薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分......
使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法（ECR-CVD），以Fe3O4纳米粒子为催化剂，多孔硅为基底，采用CH4／H2和CH4／B2H6／H2两种气源在连续......
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx......
利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R（R=[CH4]/（[CH4]＋[C4F8]））条件下沉积氟化非......
使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜，通过改变前驱气体（SiH4＋80％Ar和NH3）的流量比，研......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积......
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD),以CH4和H2为气源、Fe3O4纳米粒子为催化剂,未加电场情况下,在多孔硅......
随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小,微电子器件的集成度不断提高,由器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容......
